NR9-1000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-1000PY 被设计用于i 线（365 nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后，NR9-1000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
NR9-1000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 快速地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 温度阻抗达100℃
- 室温储存保质期长达3 年
NR9-1000PY 的组成和加工完全满足于职业及环境安全的需要，它的主要溶剂是环己酮，并且显影是通过碱
性水溶液来完成。
性质：
固体物含量：19%-23%
主要溶剂：环己酮
表观：淡黄色液体
涂层特征：非常均匀、无条纹
150℃热板烘焙60 秒后的光胶厚度：
甩胶速度（rpm），40 秒光胶厚度（nm）
800 1900-2100
2000 1170-1290
3000 950-1050
4000 817-903
5000 712-788
1 μm 光胶厚度在365 nm 波长曝光的灵敏度（Mj/cm2）：390
加工工艺
1 将光胶在选定的转速下旋涂40 秒。
2 一旦边胶形成（大约停止分散光胶后3-5 秒）就开始通过0.5-1.0 cm 的喷嘴同时分散边胶去除剂EBR2
在旋转涂胶基材的顶部和底部的边缘部分；在旋涂完成前5 秒停止分散EBR2。
3 150℃热板烘焙60 秒（软烘）。
4 用发射365 nm 波长的工具曝光光胶。
5 100℃热板烘焙60 秒（曝光后烘焙）。
6 在光胶显影剂RD6 中通过喷洒或浸没进行光胶显影。例如1 μm 光胶厚度显影时间为10 秒；为了减慢显影速度可以将RD6 与水以3:1 比例混合，此时1 μm 光胶厚度显影时间为55 秒。
7 用去离子水冲洗光胶直至水的电阻达到规定限制。
8 光胶烘干。
9 用光胶去除剂RR4 在110℃去除光胶。
注意：以上步骤主要针对热的良导体基材如硅、GaAs 等。对于热的不良导体如玻璃等烘焙时间应该增加到
上述提及时间的3.5 倍。如需特殊工艺请咨询我们。
存储、取用注意事项：
负胶NR9-1000PY 是易燃液体；小心拿放；远离高温热源、明火；在足够的通风条件下使用。吞咽和皮肤
接触都是有害身体的；避免直接接触NR9-1000PY 液体、蒸汽或喷雾；使用时最好穿戴护目镜、橡胶手套
和防护服。