C_MOSI®红外辐射源，TO46，带盖

经济型红外辐射源，用于低输入功率的气体分析应用中的大量

•廉价的组件标准MEMS技术和CMOS兼容

•使用SMD外壳进行有效的自动组装过程

•加热板温度高达800°C，具有良好的辐射性能

•由于热质量不足而导致的高调制深度

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的IR辐射源。MEMS红外发射器的膜基于C-MOSI®技术，膜温度高达800°C。它可以长期稳定地输出辐射。发射器所需的低输入功率还支持独立和手持式应用。我们的红外发射器中使用的MEMS芯片由多层加热板膜组成，该膜包含高温稳定的金属CMOSI层。发射极芯片基于硅基板，背面蚀刻有膜。所有薄膜工艺均使用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料进行。有源C-MOSI电阻层具有保护环境的功能。

技术指标