125 MHz 光接收器

125 MHz 光接收器可在 DC-125-MHz 频率范围内实现增益、带宽和低噪声的均衡组合。具备高跨阻抗增益和低噪声等效功率 (NEP) 的特点，可提供高信号灵敏度，上升沿和下降沿时间短至 3 ns。这种高灵敏度，结合其高阶输出，可减少下游噪声源的影响。产品专为消除常见的噪声源和漂移而设计；同时产品具有足够的增益，甚至能够捕捉非常微弱的信号，这使得该产品成为低噪声输入要求系统的理想光学前端。

高跨阻增益和低噪声

硅或 InGaAs 版本

交流和直流耦合版本

自由空间和光纤耦合版本

优异的射频屏蔽

对比	型号
	1801-FS硅光接收器，320-1000 nm，125 MHz，自由空间，8-32/M4
	1801-FS-AC硅光接收器，320-1000 nm，25 kHz-125 MHz，自由空间，8-32 和 M4
	1811-FSInGaAs 光接收器，900-1700 nm，125 MHz，自由空间，8-32/M4
	1811-FS-ACInGaAs 光接收器，900-1700 nm，25 kHz-125 MHz，自由空间，8-32 和 M4

产品规格

型号	1801-FS	1801-FS-AC	1811-FS	1811-FS-AC
探测器直径	0.4 mm	0.4 mm	0.3 mm	0.3 mm
探测器材料	Silicon	Silicon	InGaAs	InGaAs
探测器类型	PIN	PIN	PIN	PIN
波长范围	320-1000 nm	320-1000 nm	900-1700 nm	900-1700 nm
3 dB 带宽	DC to 125 MHz	25 kHz to 125 Mhz	DC to 125 MHz	25 kHz to 125 Mhz
**转换增益	4x104 V/W	4x104 V/W	4x104 V/W	4x104 V/W
**跨阻抗增益	4x104 V/A	4x104 V/A	4x104 V/A	4x104 V/A
NEP	3.3 pW/√Hz	3.3 pW/√Hz	2.5 pW/√Hz	2.5 pW/√Hz
上升时间	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns
饱和功率	110 µW @ 800 nm	110 µW @ 800 nm	55 µW @ 1550 nm	55 µW @ 1550 nm
**脉冲功率	10 mW	10 mW	5 mW	5 mW
峰值响应度	0.5 A/W @ 800 nm	0.5 A/W @ 800 nm	1.0 A/W @ 1550 nm	1.0 A/W @ 1550 nm
直流偏置监测带宽		50 KHz		50 KHz
直流偏置监测增益	10 V/mA	10 V/mA	10 V/mA	10 V/mA
输出接头	SMA	SMA	SMA	SMA
输出阻抗	50 Ω	50 Ω	50 Ω	50 Ω
电源要求	±15 VDC, 250 mA	±15 VDC, 250 mA	±15 VDC, 250 mA	±15 VDC, 250 mA
螺纹类型	8-32 (includes M4 adapter)	8-32 (includes M4 adapter)	8-32 (includes M4 adapter)	8-32 (includes M4 adapter)

特征

硅或 InGaAs 版本

硅模型提供 320-1000 nm 的可见波长覆盖，并使用具有高增益、低噪声跨阻放大器的硅 PIN 光电二极管。近红外版本使用 InGaAs-PIN 光电探测器，其提供 900-1700 nm 的覆盖。

Typical responsivity of Model 1801 (Silicon) and Model 1811 (InGaAs) detectors.

高跨阻增益和低噪声

具备高跨阻抗增益和低噪声等效功率 (NEP) 的特点，可提供高信号灵敏度，上升沿和下降沿时间短至 3 ns。这种高灵敏度，结合其高阶输出，可减少下游噪声源的影响。

Typical noise floor for Models 1801 (blue) and 1811 (black).

直流耦合版本

利用直流耦合，这些光接收器对瞬态信号给出线性响应，而没有人工振荡、尾部或其它异常。

交流耦合版本

具有 25 kHz 低频衰减的交流耦合版本。这些光接收器可用于测量大型 cw 组件上的小交流信号。为了使对准更容易，交流耦合版本配备了直流光电流监测器输出。监视器输出具有 50 kHz 带宽和 1 V/mA 的增益。

射频屏蔽

即使在使用调 Q 激光器和其它噪声设备的实验室中，缜密的射频屏蔽和电源输入滤波也能消除电磁干扰。