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玻璃/石英制品

氮化镓厚膜晶片

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产品介绍

2”氮化镓厚膜晶片
2” GaN Templates

产品型号 Item	GaN-T-N			GaN-T-S
尺寸 Dimensions	Ф 2”
厚度 Thickness	20 µm, 30 µm			30 µm, 90 µm
导电类型 Conduction Type	N-type			Semi-Insulating
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm			>10⁶ Ω·cm
位错密度 Dislocation Density	Less than 1x10₈ cm^-2
包装 Package	Packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25pcs orsingle wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

2英寸氮化镓自支撑晶片
2” Free-Standing GaN Substrates

产品型号 Item	GaN-FS-N			GaN-FS-SI
尺寸 Dimensions	Ф 50.8mm ± 1mm
厚度 Thickness	260 ± 20 µm
导电类型 Conduction Type	N-type			Semi-Insulating
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm			>10⁶ Ω·cm
位错密度 Dislocation Density	Less than 5x10⁶ cm^-2
抛光 Polishing Front Surface:	Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded
包装 Package	Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

定制尺寸氮化镓自支撑晶片
Free-standing GaN Substrates (Customized size)

产品型号 Item	GaN-FS-5	GaN-FS-10		GaN-FS-15
尺寸 Dimensions	5.0mm×5.5mm	10.0mm×10.5mm		14.0mm×15.0mm
厚度 Thickness	230 ± 20 µm,280 ± 20 µm
导电类型 Conduction Type	N-type		Semi-Insulating
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm		>10⁶ Ω·cm
位错密度 Dislocation Density	Less than 5x10⁶ cm^-2
抛光 Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded
包装 Package	Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

产品型号 Item	GaN-FS-N-1.5
尺寸 Dimensions	Ф 38.1mm ± 0.5mm
厚度 Thickness	260 ± 20 µm
导电类型 Conduction Type	N-type
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm
抛光 Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded
包装 Package	Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

氮化镓厚膜晶片信息由北京汇德信科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于氮化镓厚膜晶片报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途