美国Futurrex公司NR9-1000PY负性光刻胶

NR9-1000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-1000PY 被设计用于i 线（365 nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后，NR9-1000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
NR9-1000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 快速地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 温度阻抗达100℃
- 室温储存保质期长达3 年
NR9-1000PY 的组成和加工完全满足于职业及环境安全的需要，它的主要溶剂是环己酮，并且显影是通过碱
性水溶液来完成。
性质：
固体物含量：19%-23%
主要溶剂：环己酮
表观：淡黄色液体
涂层特征：非常均匀、无条纹
150℃热板烘焙60 秒后的光胶厚度：
甩胶速度（rpm），40 秒光胶厚度（nm）
800 1900-2100
2000 1170-1290
3000 950-1050
4000 817-903
5000 712-788
1 μm 光胶厚度在365 nm 波长曝光的灵敏度（Mj/cm2）：390
加工工艺
1 将光胶在选定的转速下旋涂40 秒。
2 一旦边胶形成（大约停止分散光胶后3-5 秒）就开始通过0.5-1.0 cm 的喷嘴同时分散边胶去除剂EBR2
在旋转涂胶基材的顶部和底部的边缘部分；在旋涂完成前5 秒停止分散EBR2。
3 150℃热板烘焙60 秒（软烘）。
4 用发射365 nm 波长的工具曝光光胶。
5 100℃热板烘焙60 秒（曝光后烘焙）。
6 在光胶显影剂RD6 中通过喷洒或浸没进行光胶显影。例如1 μm 光胶厚度显影时间为10 秒；为了减慢显影速度可以将RD6 与水以3:1 比例混合，此时1 μm 光胶厚度显影时间为55 秒。
7 用去离子水冲洗光胶直至水的电阻达到规定限制。
8 光胶烘干。
9 用光胶去除剂RR4 在110℃去除光胶。
注意：以上步骤主要针对热的良导体基材如硅、GaAs 等。对于热的不良导体如玻璃等烘焙时间应该增加到
上述提及时间的3.5 倍。如需特殊工艺请咨询我们。
存储、取用注意事项：
负胶NR9-1000PY 是易燃液体；小心拿放；远离高温热源、明火；在足够的通风条件下使用。吞咽和皮肤
接触都是有害身体的；避免直接接触NR9-1000PY 液体、蒸汽或喷雾；使用时最好穿戴护目镜、橡胶手套
和防护服。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途