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五(二甲氨基)钽(V)，19824-59-0，99.99% metal basis
| 品牌 | 厂商性质 | 产地 | 货期 |
|---|---|---|---|
| 阿拉丁 | 总代理 | 中国 | 现货 |
性能特点
氮化钽 (TaN) 薄膜的挥发性固体 CVD 前体。当在沉积过程中存在 O2、H2O、NO 或 H2O2 时，还会形成氧化钽 (Ta2O5) 薄膜。 Ta2O5 薄膜作为集成电路制造中的栅电介
| 货号 | 规格 | CAS号 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| P283060-1g | 1g | 19824-59-0 | ￥1,149.90 | 询底价 |
| P283060-25g | 25g | 19824-59-0 | ￥10,218.00 | 询底价 |
| P283060-5g | 5g | 19824-59-0 | ￥2,529.90 | 询底价 |
中文名：五(二甲氨基)钽(V)
英文名：Pentakis(dimethylamino)tantalum(V)
中文别名：钽二甲基胺
英文别名：19824-59-0|Pentakis(dimethylamino)tantalum(V)|Tantalum, pentakis(dimethylamino)-|dimethylazanide;tantalum(5+)|dimethyl[tetrakis(dimethylamino)tantalio]amine|Methanamine, N-methyl-, tantalum(5+) salt (5:1)|Pentakis(dimethylamino)tantalum|Ta(NMe2)5|MFCD0163
纯度：99.99% metal basis
货号：P283060
Cas号：19824-59-0
存储温度：充氩
产品介绍：
氮化钽 (TaN) 薄膜的挥发性固体 CVD 前体。当在沉积过程中存在 O2、H2O、NO 或 H2O2 时，还会形成氧化钽 (Ta2O5) 薄膜。 Ta2O5 薄膜作为集成电路制造中的栅电介质材料具有广阔的应用前景。
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