砷化镓衬底/基片
品牌 | 厂商性质 | 产地 | 货期 |
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暂无 | 暂无 | 暂无 | 现货 |
外延生长级抛光砷化衬底/基片
晶体材料 | Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高纯单晶 | |
晶向 | (1 0 0) / (1 1 1) | |
掺杂 | Undoped / Zn | Si / Te |
直径 | 50.8 ± 0.25mm / 76.2± 0.25mm / 100.0 ± 0.4mm | |
厚度 | 325 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um | |
晶向 | ( 100 ) α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request | |
电阻率 | (1-30)x10 7 Ω.cm | (1-10)x10 -3 Ω.cm |
迁移率 | ≥ 5000 cm2 / V·sec | N / A |
掺杂浓度 | N / A | (0.1-3.0)×10 18 /cm3 |
腐蚀缺陷密度 | ≤ 5·10 3cm-2 /7·10 4cm-2 | ≤ 5·102 cm-2 |
主定位边 | (0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm | |
次定位边 | (0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm | |
正面 | Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光 | |
反面 | Polished / Lapping or Etched, 抛光 / 研磨或腐蚀 | |
包装 | N2 filled , cassette / fluoroware, 25pcs /single piece, 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式 |
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