晶体材料

Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LEC grown, 高纯单晶

晶向

(1 0 0) / (1 1 1)

掺杂

Undoped / Zn

Si / Te

直径

晶向

（ 100 ） α ⁰ ±β ⁰ , off angle α and accuracy β upon request

电阻率

(1-30)x10 ⁷ Ω.cm

(1-10)x10 ^-3 Ω.cm

迁移率

≥ 5000 cm² / V·sec

N / A

掺杂浓度

N / A

(0.1-3.0)×10 ¹⁸ /cm³

腐蚀缺陷密度

≤ 5·10 ³cm^-2 /7·10 ⁴cm^-2

≤ 5·10 ² cm ^-2

主定位边

(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm

次定位边

(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm