锗衬底/基片
品牌 | 厂商性质 | 产地 | 货期 |
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暂无 | 暂无 | 暂无 | 现货 |
外延生长级抛光锗基片
晶体材料 | Single Crystal Germanium, VGF /LEC grown, 高纯单晶 | |
晶向 | (1 0 0) / (1 1 1) | |
掺杂 | Ga | Sb / As |
直径 | 50.8 ± 0.25mm / 76.2± 0.25mm / 100.0 ± 0.4mm | |
厚度 | 325 ± 25um / 425 ± 25um / 500 ± 25um | |
晶向 | ( 100 ) α 0 ±β 0 , off angle α and accuracy β upon request | |
电阻率 | 0.8-40 Ω.cm | 0.25-50 Ω.cm |
迁移率 | ≥ 3000 cm 2 / V·sec | N / A |
掺杂浓度 | N / A | (0.1-3.0)×10 18 /cm 3 |
腐蚀缺陷密度 | ≤ 2·10 3 cm -2 | ≤ 5·10 2 cm -2 |
主定位边 | (0-1-1)±0.5 deg, 16±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm | |
次定位边 | (0-1 1) )±5.0 deg, 8±1.0mm / 11±1.0mm /18±1.0mm | |
正面 | Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光 | |
反面 | Polished / Lapping or etched, 抛光 / 研磨或腐蚀 | |
包装 | N2 filled , cassette / fluoroware, 25pcs / single piece, 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式 |
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